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IXFK64N50P

IXFK64N50P Littelfuse

media.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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Technische Details IXFK64N50P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 64 A, 0.085 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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IXFK64N50P IXFK64N50P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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IXFK64N50P IXFK64N50P Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 64 A, 0.085 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IXFK64N50P IXFK64N50P Hersteller : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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IXFK64N50P IXFK64N50P
Produktcode: 53284
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media?resourcetype=datasheets&itemid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF Transistoren > MOSFET N-CH
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IXFK64N50P IXFK64N50P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC0CC4CFD77820&compId=IXFK(X)64N50P.pdf?ci_sign=7204ab845ac6e272ad03bd96c6ae51e7d9e2b498 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFK64N50P IXFK64N50P Hersteller : Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=8DE003F7-C51B-40E5-9C92-5B875DE95D4C&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-64N50P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
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IXFK64N50P IXFK64N50P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC0CC4CFD77820&compId=IXFK(X)64N50P.pdf?ci_sign=7204ab845ac6e272ad03bd96c6ae51e7d9e2b498 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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