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IXFK78N50P3

IXFK78N50P3 IXYS

DS100313AIXFKFX78N50P3.pdf
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 78A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
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Technische Details IXFK78N50P3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 78A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFK78N50P3 IXFK78N50P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_78N50P3_Datasheet__1_.pdf MOSFETs 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
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IXFK78N50P3 IXFK78N50P3 IXYS IXFK(X)78N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.13kW
Gate charge: 147nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 78A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
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IXFK78N50P3 IXFK78N50P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK78N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 78 A, 0.068 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 78
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.13
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFK78N50P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_78N50P3_Datasheet__1_.pdf
IXFK78N50P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
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1+53.19 EUR
10+34.41 EUR
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IXFK78N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.13kW
Gate charge: 147nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 78A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
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IXFK78N50P3 LFSI-S-A0009972165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFK78N50P3
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK78N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 78 A, 0.068 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 78
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.13
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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