Technische Details IXFN130N30 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN130N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 130 A, 0.022 ohm, ISOTOP, Modul, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 300, Dauer-Drainstrom Id: 130, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 700, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 700, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXFN130N30
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXFN130N30 | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXFN130N30 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN130N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 130 A, 0.022 ohm, ISOTOP, Modul Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 300 Dauer-Drainstrom Id: 130 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 700 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 700 Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXFN130N30 | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH Si 300V 130A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFN130N30 |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
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| IXFN130N30 |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN130N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 130 A, 0.022 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 700
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN130N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 130 A, 0.022 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 700
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFN130N30 |
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Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH Si 300V 130A 4-Pin SOT-227B
Trans MOSFET N-CH Si 300V 130A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH