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IXFN130N90SK

IXFN130N90SK IXYS


Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 109A; SOT227B; screw; SiC; 68nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 109A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10mΩ
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IXFN130N90SK IXYS

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 900V; 109A; SOT227B; screw; SiC; 68nC, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 109A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 10mΩ, Technology: SiC, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 68nC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Mechanical mounting: screw, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Preis
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Description: Module; single transistor; 900V; 109A; SOT227B; screw; SiC; 68nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 109A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10mΩ
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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