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IXFN130N90SK

IXFN130N90SK IXYS


Hersteller: IXYS
Description: SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
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Technische Details IXFN130N90SK IXYS

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 900V; 109A; SOT227B; screw; SiC; 68nC, Case: SOT227B, Technology: SiC, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, Gate charge: 68nC, On-state resistance: 10mΩ, Drain current: 109A, Drain-source voltage: 900V, Semiconductor structure: single transistor.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFN130N90SK IXFN130N90SK Hersteller : IXYS MOSFET MSFT SILICON CARBIDE MINI
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IXFN130N90SK IXFN130N90SK Hersteller : IXYS Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 109A; SOT227B; screw; SiC; 68nC
Case: SOT227B
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 10mΩ
Drain current: 109A
Drain-source voltage: 900V
Semiconductor structure: single transistor
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