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Technische Details IXFN140N30P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFN140N30P nach Preis ab 34.17 EUR bis 52.54 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFN140N30P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN140N30P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 700W Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFN140N30P | Hersteller : Littelfuse |
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IXFN140N30P | Hersteller : Littelfuse |
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IXFN140N30P | Hersteller : Littelfuse |
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IXFN140N30P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A Polarisation: unipolar Power dissipation: 700W On-state resistance: 24mΩ Drain current: 110A Drain-source voltage: 300V Reverse recovery time: 200ns Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate charge: 185nC Case: SOT227B Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 300A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFN140N30P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A Polarisation: unipolar Power dissipation: 700W On-state resistance: 24mΩ Drain current: 110A Drain-source voltage: 300V Reverse recovery time: 200ns Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate charge: 185nC Case: SOT227B Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 300A Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
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