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IXFN140N30P IXYS


Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN140N30P_Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
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Technische Details IXFN140N30P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFN140N30P IXFN140N30P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
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Verlustleistung: 700W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IXFN140N30P description IXYS-S-A0008595730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 150 Stücke:
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