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IXFN140N30P

IXFN140N30P IXYS


media-3320862.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
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Technische Details IXFN140N30P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFN140N30P IXFN140N30P Hersteller : Littelfuse Inc. DS99571FIXFN140N30P.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
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IXFN140N30P IXFN140N30P Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IXFN140N30P IXFN140N30P Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn140n30p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
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IXFN140N30P IXFN140N30P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
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IXFN140N30P IXFN140N30P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
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IXFN140N30P IXFN140N30P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF909B1E4561820&compId=IXFN140N30P.pdf?ci_sign=2b393dfec7ce74f333dc9621ba59a1ebed6ea252 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 700W
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 200ns
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 185nC
Case: SOT227B
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN140N30P IXFN140N30P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF909B1E4561820&compId=IXFN140N30P.pdf?ci_sign=2b393dfec7ce74f333dc9621ba59a1ebed6ea252 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 700W
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 200ns
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 185nC
Case: SOT227B
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
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