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Technische Details IXFN160N30T IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 900W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXFN160N30T nach Preis ab 33.98 EUR bis 53.20 EUR
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IXFN160N30T | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 900W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V |
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IXFN160N30T Produktcode: 162434
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IXFN160N30T | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 300V 130A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN160N30T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 130A 4-Pin SOT-227B |
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| IXFN160N30T | Hersteller : IXYS | IXFN160N30T Transistor modules MOSFET |
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