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IXFN180N15P

IXFN180N15P Littelfuse

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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
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Technische Details IXFN180N15P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 680W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN180N15P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 180 Amps 150V 0.011 Rds
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IXFN180N15P IXFN180N15P Littelfuse media.pdf description Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
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IXFN180N15P IXFN180N15P Littelfuse media.pdf description Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
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IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS 99241.pdf description Description: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
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IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
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IXFN180N15P IXFN180N15P IXYS IXFN180N15P.pdf description Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
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IXFN180N15P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN180N15P_Datasheet.PDF
IXFN180N15P
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 180 Amps 150V 0.011 Rds
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IXFN180N15P
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
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IXFN180N15P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
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Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
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Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
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IXFN180N15P description IXYS-S-A0008595706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN180N15P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN180N15P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+79.37 EUR
5+69.42 EUR
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100+45.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXFN180N15P description IXFN180N15P.pdf
IXFN180N15P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 680W
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH