IXFN210N30P3
Produktcode: 164550
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXFN210N30P3 | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A Case: SOT227B Type of semiconductor module: MOSFET transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±30V Reverse recovery time: 250ns Gate charge: 268nC On-state resistance: 14.5mΩ Technology: HiPerFET™; Polar3™ Drain current: 192A Pulsed drain current: 550A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 1.5kW |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFN210N30P3 | Hersteller : IXYS |
MOSFET Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXFN210N30P3 |
MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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