IXFN210N30P3
Produktcode: 164550
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote IXFN210N30P3 nach Preis ab 69.86 EUR bis 204.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFN210N30P3 | IXYS |
MOSFET Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
|
IXFN210N30P3 | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFN210N30P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 VtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 1.5kW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 1.5kW SVHC: To Be Advised Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| IXFN210N30P3 |
MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Транзистори |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IXFN210N30P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
MOSFET Modules N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 90.61 EUR |
| 10+ | 74.52 EUR |
| 100+ | 69.86 EUR |
| IXFN210N30P3 |
![]() |
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFN210N30P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.5kW
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
Description: LITTELFUSE - IXFN210N30P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.5kW
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0145ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IXFN210N30P3 |
![]() |
MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 204.38 EUR |


