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IXFN24N100

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Produktcode: 101787
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Hersteller:
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
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Technische Details IXFN24N100

  • MOSFET, N, SOT-227B
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:1000V
  • Cont Current Id:24A
  • On State Resistance:0.39ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5.5V
  • Case Style:ISOTOP
  • Termination Type:Screw
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:3J
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Isolation voltage:2500V
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.39ohm
  • Max Repetitive Avalanche Energy:60mJ
  • Max Voltage Vds:1000V
  • Max Voltage Vgs th:5V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:600W
  • Power Dissipation Pd:600W
  • Pulse Current Idm:96A
  • Rate of Voltage Change dv / dt:5V/es
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:250ns
  • Weight:0.04kg
  • Transistor Case Style:ISOTOP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFN24N100 IXFN24N100 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN24N100_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 1KV 24A
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.82 EUR
10+78.85 EUR
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IXFN24N100 IXFN24N100 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=3A51D400-C600-44E8-908E-B984AF4CDE19&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN24N100-Datasheet.PDF description Description: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
auf Bestellung 269 Stücke:
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10+76.26 EUR
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IXFN24N100 IXFN24N100 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+138.69 EUR
5+109.11 EUR
10+92.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXFN24N100 description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN24N100_Datasheet.PDF
IXFN24N100
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 1KV 24A
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IXFN24N100 description media?resourcetype=datasheets&itemid=3A51D400-C600-44E8-908E-B984AF4CDE19&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN24N100-Datasheet.PDF
IXFN24N100
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
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IXFN24N100 description IXYS-S-A0008595601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFN24N100
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 600W
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Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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