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IXFN27N120SK IXYS


media-3319794.pdf Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini
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Technische Details IXFN27N120SK IXYS

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1.2kV; 21.5A; SOT227B; screw; SiC; 160nC, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 21.5A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 80mΩ, Technology: SiC, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 160nC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Mechanical mounting: screw, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFN27N120SK IXFN27N120SK Hersteller : IXYS Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 21.5A; SOT227B; screw; SiC; 160nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21.5A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 80mΩ
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFN27N120SK Hersteller : IXYS Description: SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
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IXFN27N120SK IXFN27N120SK Hersteller : IXYS Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 21.5A; SOT227B; screw; SiC; 160nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21.5A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 80mΩ
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
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