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Weitere Produktangebote IXFN32N120P nach Preis ab 88.47 EUR bis 119.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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IXFN32N120P | Hersteller : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1000W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN32N120P | Hersteller : IXYS |
MOSFET Modules 32 Amps 1200V |
auf Bestellung 589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN32N120P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN32N120P | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 32A; SOT227B; screw; Idm: 100A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 32A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.31Ω Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 1kW Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate charge: 360nC Reverse recovery time: 300ns Gate-source voltage: ±40V Mechanical mounting: screw |
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