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Technische Details IXFN360N10T Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 360A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 830W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Produktpalette: Trench HiperFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXFN360N10T nach Preis ab 33.4 EUR bis 51.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IXFN360N10T | Hersteller : IXYS |
 MOSFET Modules 360 Amps 100V |
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IXFN360N10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN360N10T | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 830W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830W Produktpalette: Trench HiperFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm Rds(on)-Prüfspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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IXFN360N10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B |
auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFN360N10T Produktcode: 92649 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IXFN360N10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B |
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IXFN360N10T | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A Technology: GigaMOS™; HiPerFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 360A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 830W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.6mΩ Gate charge: 525nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 130ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFN360N10T | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V |
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IXFN360N10T | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A Technology: GigaMOS™; HiPerFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 360A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 830W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.6mΩ Gate charge: 525nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 130ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
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