Produkte > LITTELFUSE > IXFN360N10T
IXFN360N10T

IXFN360N10T Littelfuse


media.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
270+33.26 EUR
Mindestbestellmenge: 270
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXFN360N10T Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 360A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 830W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Produktpalette: Trench HiperFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Weitere Produktangebote IXFN360N10T nach Preis ab 33.4 EUR bis 51.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IXFN360N10T IXFN360N10T Hersteller : IXYS media-3319811.pdf MOSFET Modules 360 Amps 100V
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+46.24 EUR
10+ 42.36 EUR
20+ 41.08 EUR
100+ 35.92 EUR
500+ 33.4 EUR
IXFN360N10T IXFN360N10T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+51.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IXFN360N10T IXFN360N10T Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR 2362856.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Produktpalette: Trench HiperFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXFN360N10T IXFN360N10T Hersteller : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXFN360N10T IXFN360N10T
Produktcode: 92649
media?resourcetype=datasheets&itemid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IXFN360N10T IXFN360N10T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
IXFN360N10T IXFN360N10T Hersteller : IXYS IXFN360N10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 130ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IXFN360N10T IXFN360N10T Hersteller : Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IXFN360N10T IXFN360N10T Hersteller : IXYS IXFN360N10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 130ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Produkt ist nicht verfügbar