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IXFN360N10T

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFN360N10T IXFN360N10T Littelfuse rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 274 Stücke:
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10+34.14 EUR
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IXFN360N10T IXFN360N10T Littelfuse rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
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IXFN360N10T IXFN360N10T Ixys Corporation rete-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn360n10t-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 261 Stücke:
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10+43.07 EUR
50+40.22 EUR
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IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB Description: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
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10+45.29 EUR
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IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS SEMICONDUCTOR Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: Trench HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
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10+44.9 EUR
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IXFN360N10T rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
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Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
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Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
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IXFN360N10T
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: Trench HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
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4+71.15 EUR
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