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IXFN360N10T

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB
Produktcode: 92649
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS IXFN360N10T.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 525nC
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+33.25 EUR
5+32.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXFN360N10T IXFN360N10T Littelfuse rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+44.64 EUR
10+33.36 EUR
100+29.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXFN360N10T IXFN360N10T Littelfuse rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+45.12 EUR
10+32.99 EUR
100+28.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXFN360N10T IXFN360N10T Ixys Corporation rete-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn360n10t-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+45.9 EUR
10+42.09 EUR
50+39.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN360N10T_Datasheet.PDF MOSFET Modules 360 Amps 100V
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.51 EUR
10+44.45 EUR
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IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB Description: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
auf Bestellung 3311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.28 EUR
10+48.81 EUR
50+41.36 EUR
100+39.64 EUR
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IXFN360N10T IXFN360N10T IXYS SEMICONDUCTOR 2362856.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: Trench HiperFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+74.24 EUR
5+59.87 EUR
10+46.86 EUR
50+45.28 EUR
100+43.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXFN360N10T IXFN360N10T.pdf
IXFN360N10T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 830W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 525nC
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+33.25 EUR
5+32.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXFN360N10T rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf
IXFN360N10T
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+44.64 EUR
10+33.36 EUR
100+29.54 EUR
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IXFN360N10T rete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfn360n10t_datasheet.pdf
IXFN360N10T
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+45.12 EUR
10+32.99 EUR
100+28.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXFN360N10T rete-mosfets-n-channel-trench-gate-ixfn360n10t-datasheet.pdf
IXFN360N10T
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+45.9 EUR
10+42.09 EUR
50+39.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXFN360N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFN360N10T_Datasheet.PDF
IXFN360N10T
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 360 Amps 100V
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+61.51 EUR
10+44.45 EUR
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IXFN360N10T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXFN360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=266AF6DA-14C9-4348-BA01-DC3A8F4611CB
IXFN360N10T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V
auf Bestellung 3311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+66.28 EUR
10+48.81 EUR
50+41.36 EUR
100+39.64 EUR
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IXFN360N10T 2362856.pdf
IXFN360N10T
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: Trench HiperFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+74.24 EUR
5+59.87 EUR
10+46.86 EUR
50+45.28 EUR
100+43.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH