IXFN360N10T
Produktcode: 92649
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXFN360N10T | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN360N10T | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN360N10T - MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 830W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 830W SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Produktpalette: Trench HiperFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 100V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |