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IXFN55N50 Littelfuse

Name: IXFN55N50
Brand: Littelfuse
SKU: 1021667-5
Price: 201.66 EUR
Availability: InStock

rete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_50n50_datasheet.pdf.pdf

Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 55A 4-Pin SOT-227B

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Technische Details IXFN55N50 Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote IXFN55N50

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
IXFN55N50	Littelfuse Inc.	Description: MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXFN55N50	IXYS	MOSFET Modules 55 Amps 500V 0.08 Rds	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXFN55N50	IXYS	Category: Transistor modules Description: Module; single transistor; 500V; 55A; SOT227B; screw; Idm: 220A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 55A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 80mΩ Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 625W Technology: HiPerFET™ Kind of channel: enhancement Gate charge: 330nC Reverse recovery time: 250ns Gate-source voltage: ±40V Mechanical mounting: screw	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IXFN55N50	IXYS SEMICONDUCTOR	Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN55N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 55 A, 0.08 ohm, ISOTOP, Modul Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 55 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 600 Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXFN55N50

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Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V

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IXFN55N50

Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 55 Amps 500V 0.08 Rds

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IXFN55N50

Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 55A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 80mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 625W
Technology: HiPerFET™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 330nC
Reverse recovery time: 250ns
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw

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IXFN55N50

IXYS-S-A0008598207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN55N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 55 A, 0.08 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

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