Weitere Produktangebote IXFN56N90P nach Preis ab 66.12 EUR bis 118.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IXFN56N90P | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 1000W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN56N90P | Hersteller : IXYS |
MOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A |
auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN56N90P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 900V 56A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN56N90P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 900V 56A 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IXFN56N90P |
SOT-227B, N-Channel MOSFET, Id=56A, Vdss=900V Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFN56N90P | Hersteller : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 56A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 1kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.145Ω Gate charge: 375nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Semiconductor structure: single transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
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