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IXFN60N60

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IXFN60N60

MOSFET, N, SOT-227B
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:600V
Cont Current Id:60A
On State Resistance:0.075ohm
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Typ Voltage Vgs th:4.5V
Case Style:ISOTOP
Termination Type:Screw
Avalanche Single Pulse Energy Eas:4J
Current Temperature:25`C
Full Power Rating Temperature:25`C
Isolation voltage:2500V
Max Junction Temperature Tj:150`C
Max On State Resistance:0.075ohm
Max Repetitive Avalanche Energy:64mJ
Max Voltage Vds:600V
Max Voltage Vgs th:4.5V
Min Junction Temperature, Tj:-55`C
No. of Transistors:1
Power Dissipation:600W
Power Dissipation Pd:600W
Pulse Current Idm:240A
Weight:0.04kg
Transistor Case Style:ISOTOP

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