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IXFN62N80Q3

IXFN62N80Q3 IXYS


media-3323272.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A
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Technische Details IXFN62N80Q3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V.

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IXFN62N80Q3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn62n80q3_datasheet.pdf.pdf
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IXFN62N80Q3 IXFN62N80Q3 Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn62n80q3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 49A 4-Pin SOT-227B
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IXFN62N80Q3 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn62n80q3_datasheet.pdf.pdf IXFN62N80Q3 Transistor modules MOSFET
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IXFN62N80Q3 IXFN62N80Q3 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn62n80q3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
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