| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 252.54 EUR |
| 10+ | 229.04 EUR |
| 50+ | 229.03 EUR |
| 100+ | 228.43 EUR |
| 200+ | 227.77 EUR |
| 500+ | 227.27 EUR |
| 1000+ | 226.77 EUR |
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Technische Details IXFN70N120SK IXYS
Description: SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 1000 V.
Weitere Produktangebote IXFN70N120SK
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXFN70N120SK | IXYS |
 Description: SICFET N-CH 1200V 68A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 1000 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IXFN70N120SK | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin SOT-227B Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFN70N120SK |
|
Hersteller: IXYS
Description: SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 1000 V
Description: SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 1000 V
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| IXFN70N120SK |
|
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin SOT-227B Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin SOT-227B Tube
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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