IXFN90N85X Littelfuse Inc.
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 850V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
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Technische Details IXFN90N85X Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 850V 90A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXFN90N85X nach Preis ab 69.94 EUR bis 102.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IXFN90N85X | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFN90N85X - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 90 A, 850 V, 0.041 ohm, 10 V, 5.5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 850V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.2kW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2kW Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFN90N85X | IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 850V/90A Ultra Junction X-Class |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXFN90N85X |
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Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFN90N85X - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 90 A, 850 V, 0.041 ohm, 10 V, 5.5 V
tariffCode: 85412900
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: To Be Advised
Description: LITTELFUSE - IXFN90N85X - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 90 A, 850 V, 0.041 ohm, 10 V, 5.5 V
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Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
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Verlustleistung: 1.2kW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 94.44 EUR |
| 5+ | 78.92 EUR |
| 10+ | 71.39 EUR |
| 50+ | 69.94 EUR |
| IXFN90N85X |
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Hersteller: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 850V/90A Ultra Junction X-Class
Discrete Semiconductor Modules 850V/90A Ultra Junction X-Class
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 102.58 EUR |
| 10+ | 93.26 EUR |
| 20+ | 90.14 EUR |
| 50+ | 87.05 EUR |
| 100+ | 85.95 EUR |