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IXFP26N50P3

IXFP26N50P3 IXYS

media-3322528.pdf Hersteller: IXYS
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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Technische Details IXFP26N50P3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V.

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IXFP26N50P3 IXFP26N50P3 Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n50p3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
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IXFP26N50P3 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n50p3_datasheet.pdf.pdf IXFP26N50P3 THT N channel transistors
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IXFP26N50P3 IXFP26N50P3 Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n50p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXFP26N50P3 IXFP26N50P3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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