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Technische Details IXFP34N65X2 Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXFP34N65X2 nach Preis ab 4.60 EUR bis 11.69 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFP34N65X2 | Hersteller : Littelfuse |
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IXFP34N65X2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V |
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IXFP34N65X2 | Hersteller : IXYS |
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IXFP34N65X2 Produktcode: 180236
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IXFP34N65X2 | Hersteller : Littelfuse |
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IXFP34N65X2 | Hersteller : Littelfuse |
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IXFP34N65X2 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO220AB On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 164ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFP34N65X2 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO220AB On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 164ns |
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