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IXFP3N120

IXFP3N120 IXYS


Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFP3N120_Datasheet.PDF Hersteller: IXYS
MOSFETs 3 Amps 1200V 4.50 Rds
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Technische Details IXFP3N120 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V.

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IXFP3N120 IXFP3N120 Hersteller : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFP3N120-Datasheet.PDF?assetguid=5509A502-26A4-4087-805C-A19D2622DD0A Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
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IXFP3N120 IXFP3N120 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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