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IXFP4N100P

IXFP4N100P IXYS

IXFA(P)4N100P.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.50 EUR
18+4.06 EUR
23+3.23 EUR
24+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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Technische Details IXFP4N100P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFP4N100P IXFP4N100P Hersteller : IXYS IXFA(P)4N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
auf Bestellung 156 Stücke:
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IXFP4N100P IXFP4N100P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXFP4N100P IXFP4N100P Hersteller : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n100p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXFP4N100P IXFP4N100P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n100p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V
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IXFP4N100P IXFP4N100P Hersteller : IXYS media-3322705.pdf MOSFETs 4 Amps 1000V
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