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IXFP56N30X3

IXFP56N30X3 IXYS

media-3321650.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
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Technische Details IXFP56N30X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 320W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFP56N30X3 IXFP56N30X3 Hersteller : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
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IXFP56N30X3 Hersteller : IXYS IXFP56N30X3 THT N channel transistors
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IXFP56N30X3 Hersteller : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixf_56n30x3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXFP56N30X3 IXFP56N30X3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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