
IXFP5N100P IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Power dissipation: 250W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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12+ | 6.29 EUR |
18+ | 3.99 EUR |
19+ | 3.78 EUR |
1000+ | 3.63 EUR |
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Technische Details IXFP5N100P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP5N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 5 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXFP5N100P nach Preis ab 3.78 EUR bis 8.96 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IXFP5N100P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 33.4nC Power dissipation: 250W |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFP5N100P | Hersteller : Ixys Corporation |
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auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFP5N100P | Hersteller : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFP5N100P | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFP5N100P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFP5N100P | Hersteller : Littelfuse |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFP5N100P | Hersteller : Littelfuse |
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Produkt ist nicht verfügbar |