IXFR140N30P IXYS SEMICONDUCTOR
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 82 A, 0.026 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 53.88 EUR |
| 6+ | 44.04 EUR |
| 10+ | 35.1 EUR |
| 50+ | 29.58 EUR |
| 100+ | 29.24 EUR |
| 250+ | 28.87 EUR |
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Technische Details IXFR140N30P IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 82 A, 0.026 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360W, Bauform - Transistor: ISOPLUS-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm.
Weitere Produktangebote IXFR140N30P
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFR140N30P | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IXFR140N30P | IXYS |
MOSFETs 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXFR140N30P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 300W; ISOPLUS247™ Mounting: THT Gate charge: 185nC On-state resistance: 28mΩ Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain current: 70A Type of transistor: N-MOSFET Case: ISOPLUS247™ Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 300W Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFR140N30P |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247
Description: MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFR140N30P |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds
MOSFETs 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds
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| IXFR140N30P |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 300W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 28mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain current: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: ISOPLUS247™
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 300W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 28mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain current: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: ISOPLUS247™
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
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