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IXFR200N10P

IXFR200N10P Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr200n10p_datasheet.pdf.pdf Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
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Technische Details IXFR200N10P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V.

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IXFR200N10P IXFR200N10P Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_HiPerFETs_IX-1856377.pdf MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds
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IXFR200N10P IXFR200N10P Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr200n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 133A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
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IXFR200N10P Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr200n10p_datasheet.pdf.pdf IXFR200N10P THT N channel transistors
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