Technische Details IXFR32N100P Littelfuse
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 18A, Power dissipation: 320W, Case: ISOPLUS247™, On-state resistance: 0.34Ω, Mounting: THT, Gate charge: 225nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IXFR32N100P | Hersteller : IXYS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFR32N100P | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 |
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IXFR32N100P | Hersteller : IXYS |
MOSFET 32 Amps 1000V |
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IXFR32N100P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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