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IXFR32N100P IXYS

Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

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Technische Details IXFR32N100P IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™, Mounting: THT, Kind of package: tube, Type of transistor: N-MOSFET, Case: ISOPLUS247™, On-state resistance: 0.34Ω, Power dissipation: 320W, Gate charge: 225nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 18A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1kV.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	IXFR32N100P	IXYS	MOSFET 32 Amps 1000V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	IXFR32N100P	IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.34Ω Power dissipation: 320W Gate charge: 225nC Polarisation: unipolar Drain current: 18A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1kV	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXFR32N100P

Hersteller: IXYS
MOSFET 32 Amps 1000V

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IXFR32N100P

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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.34Ω
Power dissipation: 320W
Gate charge: 225nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV

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