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IXFR32N80P

IXFR32N80P IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr32n80p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Technische Details IXFR32N80P IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFR32N80P IXFR32N80P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFR32N80P_Datasheet.PDF MOSFETs 20 Amps 800V 0.29 Rds
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IXFR32N80P IXFR32N80P IXYS IXFR32N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 300W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
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IXFR32N80P Littelfuse littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr32n80p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 20A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
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MOSFETs 20 Amps 800V 0.29 Rds
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 300W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH Si 800V 20A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
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