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IXFT140N10P-TRL IXYS

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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
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Technische Details IXFT140N10P-TRL IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 140A; 600W; D3PAK,TO268; 200ns, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 140A, Power dissipation: 600W, Case: D3PAK; TO268, Gate-source voltage: 20V, On-state resistance: 11mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 155nC, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 200ns, Technology: HiPerFET™.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFT140N10P-TRL IXFT140N10P-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_140N10P_Datasheet.PDF MOSFETs TO268 100V 140A N-CH POLAR
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IXFT140N10P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-140n10p-datasheet?assetguid=97925773-3f21-4a1c-bdc7-735f6c5e0321 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 140A; 600W; D3PAK,TO268; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: D3PAK; TO268
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™
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IXFT140N10PTRL IXFT140N10PTRL Littelfuse lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixf140n10pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
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MOSFETs TO268 100V 140A N-CH POLAR
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Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: D3PAK; TO268
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On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
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Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
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