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IXFT150N30X3HV

IXFT150N30X3HV IXYS

IXF_150N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 890W
Gate charge: 254nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 8.3mΩ
Reverse recovery time: 167ns
auf Bestellung 15 Stücke:
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Technische Details IXFT150N30X3HV IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFT150N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.0066 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
auf Bestellung 30 Stücke:
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5+38.38 EUR
10+34.18 EUR
30+32.92 EUR
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IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-150N30X3-Datasheet.PDF MOSFETs TO268 300V 150A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.32 EUR
10+28.86 EUR
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IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO268HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 314 Stücke:
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30+26.87 EUR
120+24.35 EUR
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IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV LITTELFUSE LFSI-S-A0009901606-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFT150N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.0066 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.63 EUR
6+44.65 EUR
10+38.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IXFT150N30X3HV media.pdf
IXFT150N30X3HV
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
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IXFT150N30X3HV
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MOSFETs TO268 300V 150A N-CH X3CLASS
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IXFT150N30X3HV
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO268HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
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IXFT150N30X3HV
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFT150N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.0066 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: To Be Advised
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