IXFT18N100Q3 IXYS SEMICONDUCTOR
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFT18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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Technische Details IXFT18N100Q3 IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFT18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFT18N100Q3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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IXFT18N100Q3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 18A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
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IXFT18N100Q3 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 18A Power dissipation: 830W Case: TO268 On-state resistance: 0.66Ω Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFT18N100Q3 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 18A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4890 pF @ 25 V |
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IXFT18N100Q3 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFT18N100Q3 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 18A Power dissipation: 830W Case: TO268 On-state resistance: 0.66Ω Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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