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IXFT20N100P

IXFT20N100P Littelfuse

te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n100p_datasheet.pdf.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
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Technische Details IXFT20N100P Littelfuse

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 20A, Power dissipation: 660W, Case: TO268, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 570mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 126nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 300ns, Technology: HiPerFET™; Polar™, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFT20N100P IXFT20N100P Hersteller : Littelfuse screte-mosfets-n-channel-hiperfets-ixf-20n100p-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
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IXFT20N100P IXFT20N100P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECE728CC0A18BF&compId=IXF_20N100P.pdf?ci_sign=e2a539356f4e584bf4dad0014f01227b046bdbad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFT20N100P IXFT20N100P Hersteller : IXYS DS99843B(IXFH-T20N100P).pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
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IXFT20N100P IXFT20N100P Hersteller : IXYS media-3321092.pdf MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds
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IXFT20N100P IXFT20N100P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CECE728CC0A18BF&compId=IXF_20N100P.pdf?ci_sign=e2a539356f4e584bf4dad0014f01227b046bdbad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
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