Technische Details IXFT20N100P Littelfuse
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 20A, Power dissipation: 660W, Case: TO268, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 570mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 126nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 300ns, Technology: HiPerFET™; Polar™, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXFT20N100P
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXFT20N100P | Hersteller : Littelfuse |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFT20N100P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 20A Power dissipation: 660W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 570mΩ Mounting: SMD Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Technology: HiPerFET™; Polar™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXFT20N100P | Hersteller : IXYS |
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IXFT20N100P | Hersteller : IXYS |
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IXFT20N100P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 20A Power dissipation: 660W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 570mΩ Mounting: SMD Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Technology: HiPerFET™; Polar™ |
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