IXFT50N60P3 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 15.76 EUR |
| 7+ | 10.67 EUR |
| 8+ | 10.08 EUR |
| 510+ | 10.02 EUR |
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Technische Details IXFT50N60P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXFT50N60P3 nach Preis ab 9.88 EUR bis 19.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFT50N60P3 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO268 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFT50N60P3 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFT50N60P3 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET |
auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFT50N60P3 | Hersteller : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFT50N60P3 Produktcode: 152198
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Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
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IXFT50N60P3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
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IXFT50N60P3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
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