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IXFX180N15P

IXFX180N15P IXYS

IXFX180N15P.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Anzahl Preis
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Technische Details IXFX180N15P IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 180A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFX180N15P IXFX180N15P Hersteller : IXYS IXFX180N15P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFX180N15P IXFX180N15P Hersteller : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 150V 180A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
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IXFX180N15P IXFX180N15P Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXFX180N15P IXFX180N15P Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfk180n15p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXFX180N15P IXFX180N15P Hersteller : Littelfuse screte-mosfets-n-channel-hiperfets-ixfx180n15p-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXFX180N15P Hersteller : IXYS 99218-1110214.pdf MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Ohm Rds
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