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IXFX64N60P3

IXFX64N60P3 Littelfuse


media.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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Technische Details IXFX64N60P3 Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 1130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V.

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IXFX64N60P3 IXFX64N60P3 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_64N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
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IXFX64N60P3 IXFX64N60P3 Hersteller : IXYS DS100312BIXFKFX64N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
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IXFX64N60P3 IXFX64N60P3 Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_64n60p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXFX64N60P3 IXFX64N60P3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXFX64N60P3 IXFX64N60P3 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB0ABA0A0DD8BF&compId=IXF_64N60P3.pdf?ci_sign=a8ce04ebb208e064f869f0d2ea995cec98534685 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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