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| Anzahl | Preis |
|---|---|
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Technische Details IXFX80N50P IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXFX80N50P
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXFX80N50P | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFX80N50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IXFX80N50P | Hersteller : IXYS | IXFX80N50P THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFX80N50P | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |