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IXFY4N60P3

IXFY4N60P3 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
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Technische Details IXFY4N60P3 IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™; Polar3™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 4A, Power dissipation: 114W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.4Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 8A, Gate charge: 6.9nC, Reverse recovery time: 250ns.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFY4N60P3 IXFY4N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_4N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
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IXFY4N60P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
Gate charge: 6.9nC
Reverse recovery time: 250ns
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IXFY4N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_4N60P3_Datasheet.PDF
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MOSFETs Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
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IXFY4N60P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf
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Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
Gate charge: 6.9nC
Reverse recovery time: 250ns
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