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IXGA20N120A3

IXGA20N120A3 IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixg-20n120a3-datasheet?assetguid=06a9f4bd-9bf8-42b7-93fd-ad79977369ac Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 40A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
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Technische Details IXGA20N120A3 IXYS

Description: IGBT PT 1200V 40A TO-263AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-263AA, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns, Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off), Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 50 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 180 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_20N120A3_Datasheet.PDF IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
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IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_20n120a3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXGA20N120A3 Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-20n120a3-datasheet?assetguid=06a9f4bd-9bf8-42b7-93fd-ad79977369ac IXGA20N120A3 SMD IGBT transistors
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IXGA20N120A3 IXGA20N120A3
Produktcode: 56134
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Hersteller : IXYS DS100046A(IXGA-H-P20N120A3).pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-263
Vces: 1200
Vce: 2,5
Ic 25: 40
Ic 100: 20
Pd 25: 180
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 16/290
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