IXGH16N170 IXYS
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IXGH16N170 | Hersteller : IXYS |
 Description: IGBT NPT 1700V 32A TO-247ADPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 16A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 45ns/400ns Switching Energy: 9.3mJ (off) Test Condition: 1360V, 16A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 78 nC Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 190 W |
auf Bestellung 1962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGH16N170 | Hersteller : IXYS |
IGBTs 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds |
auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGH16N170 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH16N170 - IGBT, 32 A, 2.7 V, 190 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 32A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGH16N170 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGH16N170 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGH16N170 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGH16N170 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 16A Power dissipation: 190W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Turn-on time: 90ns Turn-off time: 1.6µs Features of semiconductor devices: high voltage |
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