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IXGH16N170

IXGH16N170 IXYS

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Produktcode: 119539
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Hersteller: IXYS
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1700 В
Sättigungsspannung Vce, V: 3,5 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 32 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 16 А
auf Bestellung 2 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXGH16N170 IXGH16N170 IXYS IXGH16N170-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 190W
Gate charge: 78nC
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 80A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 90ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 1.6µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.48 EUR
6+15.39 EUR
10+14.17 EUR
30+12.26 EUR
60+12.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IXGH16N170 IXGH16N170 Ixys Corporation littelfuse-discrete-igbts-npt-ixg-16n170-datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+19 EUR
11+17.22 EUR
30+16.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXGH16N170 IXGH16N170 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_NPT_IXG_16N170_Datasheet.PDF IGBTs 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.19 EUR
10+14.71 EUR
120+14.16 EUR
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IXGH16N170 IXGH16N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-16n170-datasheet?assetguid=521904d3-bd7b-4fb7-962a-763ceeddcbd3 Description: IGBT NPT 1700V 32A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/400ns
Switching Energy: 9.3mJ (off)
Test Condition: 1360V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 190 W
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.46 EUR
30+17.43 EUR
120+15.02 EUR
510+13.96 EUR
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IXGH16N170 IXGH16N170 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595176-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH16N170 - IGBT, 32 A, 2.7 V, 190 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 32A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXGH16N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 190W
Gate charge: 78nC
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 80A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 90ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 1.6µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 16A
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+17.48 EUR
6+15.39 EUR
10+14.17 EUR
30+12.26 EUR
60+12.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IXGH16N170
Hersteller: Ixys Corporation
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 298 Stücke:
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IXGH16N170
Hersteller: IXYS
IGBTs 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+24.19 EUR
10+14.71 EUR
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IXGH16N170 littelfuse-discrete-igbts-ixg-16n170-datasheet?assetguid=521904d3-bd7b-4fb7-962a-763ceeddcbd3
IXGH16N170
Hersteller: IXYS
Description: IGBT NPT 1700V 32A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/400ns
Switching Energy: 9.3mJ (off)
Test Condition: 1360V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 190 W
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IXGH16N170
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH16N170 - IGBT, 32 A, 2.7 V, 190 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 32A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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HER508
Produktcode: 197873
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HER501-data.pdf
HER508
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201AD
Sperrspannung Vrr, V: 1000 В
Mittlerer Strom Iav, A: 5 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 100 ns
auf Bestellung 615 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DSEI60-12A
Produktcode: 29351
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DSEI60-12A
Hersteller: IXYS
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-247
Sperrspannung Vrr, V: 1200 V
Mittlerer Strom Iav, A: 52 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 40 ns
Montage: THT
Warennummer: 8541 10 00 10
auf Bestellung 106 St.:
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