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IXGH25N250 IXYS
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 2500V 60A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Gate Charge: 75 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
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Technische Details IXGH25N250 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 25A; 250W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: NPT, Collector-emitter voltage: 2.5kV, Collector current: 25A, Power dissipation: 250W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Mounting: THT, Gate charge: 75nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 301ns, Turn-off time: 409ns, Features of semiconductor devices: high voltage.
Weitere Produktangebote IXGH25N250
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXGH25N250 | IXYS |
IGBTs TO247 2500V 60A IGBT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXGH25N250 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 25A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 2.5kV Collector current: 25A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Turn-on time: 301ns Turn-off time: 409ns Features of semiconductor devices: high voltage |
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IXGH25N250 | Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXGH25N250 | Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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| IXGH25N250 |
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Hersteller: IXYS
IGBTs TO247 2500V 60A IGBT
IGBTs TO247 2500V 60A IGBT
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| IXGH25N250 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 25A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 301ns
Turn-off time: 409ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 25A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 301ns
Turn-off time: 409ns
Features of semiconductor devices: high voltage
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| IXGH25N250 |
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Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247
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| IXGH25N250 |
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Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247
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