Produkte > Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule > IXGH30N120B3D1 Транзистор IGBT 1200V 300W TO247AD

IXGH30N120B3D1 Транзистор IGBT 1200V 300W TO247AD


Produktcode: 162398
Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IXGH30N120B3D1 Транзистор IGBT 1200V 300W TO247AD nach Preis ab 13.87 EUR bis 21.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 Hersteller : IXYS media-3323171.pdf IGBTs 60 Amps 1200V
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.44 EUR
10+18.25 EUR
30+16.00 EUR
60+15.98 EUR
120+13.89 EUR
510+13.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip 1200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip 1200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip 1200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 Hersteller : IXYS IXGH(t)30N120B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 Hersteller : IXYS Description: IGBT PT 1200V TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 Hersteller : IXYS IXGH(t)30N120B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH