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IXGH36N60B3

IXGH36N60B3 IXYS

IXGH36N60B3.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Collector current: 36A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Gate-emitter voltage: ±20V
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Technische Details IXGH36N60B3 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; PT, Power dissipation: 250W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 80nC, Kind of package: tube, Collector current: 36A, Collector-emitter voltage: 600V, Pulsed collector current: 200A, Turn-on time: 45ns, Turn-off time: 350ns, Gate-emitter voltage: ±20V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 Ixys Corporation littelfusediscreteigbtsptixgh36n60b3datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 92A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgh36n60b3-datasheet?assetguid=b1803890-5b28-411c-a8c3-a6d8847339c8 Description: IGBT PT 600V 92A TO-247AD
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30+7.85 EUR
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IXGH36N60B3
Hersteller: Ixys Corporation
Trans IGBT Chip N-CH 600V 92A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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