IXGH40N120B2D1 IXYS SEMICONDUCTOR
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120B2D1 - IGBT, 75 A, 2.9 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 26.75 EUR |
| 10+ | 24.2 EUR |
| 50+ | 23.69 EUR |
| 100+ | 23.19 EUR |
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Technische Details IXGH40N120B2D1 IXYS SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; PT, Power dissipation: 380W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 138nC, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 200A, Turn-on time: 79ns, Turn-off time: 770ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 40A, Collector-emitter voltage: 1.2kV.
Weitere Produktangebote IXGH40N120B2D1 nach Preis ab 23.2 EUR bis 39.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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IXGH40N120B2D1 | IXYS |
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXGH40N120B2D1 |
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Hersteller: IXYS
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 39.94 EUR |
| 10+ | 28.33 EUR |
| 120+ | 23.2 EUR |