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IXGH48N60C3D1

IXGH48N60C3D1 IXYS

IXGH48N60C3D1.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate charge: 77nC
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Technische Details IXGH48N60C3D1 IXYS

Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/60ns, Switching Energy: 410µJ (on), 230µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 77 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A, Power - Max: 300 W.

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IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 Hersteller : IXYS IXGH48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate charge: 77nC
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IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 Hersteller : IXYS media-3320052.pdf IGBTs 30 Amps 600V
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IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgh48n60c3d1-datasheet?assetguid=315b5d9b-9910-45d1-8d2b-8a79450f5098 Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/60ns
Switching Energy: 410µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 300 W
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IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007912958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH48N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.3 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 241 Stücke:
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IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1
Produktcode: 108583
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IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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