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IXGH50N90B2

IXGH50N90B2 IXYS

IXGH(T)50N90B2.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
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Technische Details IXGH50N90B2 IXYS

Description: IGBT PT 900V 75A TO-247AD, Power - Max: 400 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Gate Charge: 135 nC, Test Condition: 720V, 50A, 5Ohm, 15V, Switching Energy: 4.7mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 20ns/350ns, IGBT Type: PT, Supplier Device Package: TO-247AD, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXGH50N90B2 IXGH50N90B2 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_50N90B2_Datasheet.PDF IGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds
auf Bestellung 291 Stücke:
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10+24.04 EUR
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510+17.05 EUR
1020+16.97 EUR
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IXGH50N90B2 Ixys Corporation media?resourcetype=datasheets&itemid=9ACDAE0B-2A85-46F6-80CE-80A96DC76CF1&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-50N90B2-Datasheet.PDF Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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12+15.4 EUR
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IXGH50N90B2 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_50N90B2_Datasheet.PDF
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Hersteller: Ixys Corporation
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