| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 30.51 EUR |
| 10+ | 21.07 EUR |
| 120+ | 18.47 EUR |
| 510+ | 17.42 EUR |
| 1020+ | 16.97 EUR |
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Technische Details IXGH50N90B2 IXYS
Description: IGBT PT 900V 75A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/350ns, Switching Energy: 4.7mJ (off), Test Condition: 720V, 50A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 135 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 400 W.
Weitere Produktangebote IXGH50N90B2 nach Preis ab 12.99 EUR bis 17.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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IXGH50N90B2 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: HiPerFAST™; XPT™ Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 50A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 135nC Kind of package: tube Turn-on time: 48ns Turn-off time: 820ns |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| IXGH50N90B2 | Ixys Corporation |
Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXGH50N90B2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: HiPerFAST™; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IXGH50N90B2 |
![]() |
Hersteller: Ixys Corporation
Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 17.21 EUR |
| 12+ | 14.97 EUR |
| 30+ | 12.99 EUR |



