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IXGK400N30A3

IXGK400N30A3 Littelfuse

media.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 300V 400A 1000W 3-Pin(3+Tab) TO-264
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Technische Details IXGK400N30A3 Littelfuse

Description: IGBT PT 300V 400A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.15V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-264 (IXGK), IGBT Type: PT, Gate Charge: 560 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 400 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A, Power - Max: 1000 W.

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IXGK400N30A3 IXGK400N30A3 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgx400n30a_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT PT 300V 400A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.15V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Gate Charge: 560 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1000 W
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IXGK400N30A3 IXGK400N30A3 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE928C3F5451820&compId=IXGK(X)400N30A3.pdf?ci_sign=620a1db92159c5e67eff60170c2cd1cd5ba80b7c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 200A; 1kW; TO264
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 560nC
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 565ns
Collector current: 200A
Power dissipation: 1kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 300V
Pulsed collector current: 1.2kA
Case: TO264
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IXGK400N30A3 IXGK400N30A3 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE928C3F5451820&compId=IXGK(X)400N30A3.pdf?ci_sign=620a1db92159c5e67eff60170c2cd1cd5ba80b7c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 200A; 1kW; TO264
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 560nC
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 565ns
Collector current: 200A
Power dissipation: 1kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 300V
Pulsed collector current: 1.2kA
Case: TO264
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