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Technische Details IXGK75N250 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264, Type of transistor: IGBT, Technology: NPT, Collector-emitter voltage: 2.5kV, Collector current: 75A, Power dissipation: 780W, Case: TO264, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 530A, Mounting: THT, Gate charge: 410nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 280ns, Turn-off time: 725ns, Features of semiconductor devices: high voltage, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXGK75N250 nach Preis ab 153.2 EUR bis 185.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IXGK75N250 | Hersteller : IXYS |
 Description: IGBT NPT 2500V 170A TO264Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A Supplier Device Package: TO-264 (IXGK) IGBT Type: NPT Gate Charge: 410 nC Current - Collector (Ic) (Max): 170 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 530 A Power - Max: 780 W |
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IXGK75N250 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 170A 780W 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGK75N250 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 170A 780000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGK75N250 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 2.5kV Collector current: 75A Power dissipation: 780W Case: TO264 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 530A Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Turn-on time: 280ns Turn-off time: 725ns Features of semiconductor devices: high voltage Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGK75N250 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 2.5kV Collector current: 75A Power dissipation: 780W Case: TO264 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 530A Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Turn-on time: 280ns Turn-off time: 725ns Features of semiconductor devices: high voltage |
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