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Technische Details IXGN200N170 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXGN200N170 - IGBT-Modul, Einfach, 280 A, 2.1 V, 1.25 kW, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V, Dauer-Kollektorstrom: 280A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1V, Verlustleistung Pd: 1.25kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 280A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote IXGN200N170
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXGN200N170 | Hersteller : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXGN200N170 - IGBT-Modul, Einfach, 280 A, 2.1 V, 1.25 kW, 150 °C, SOT-227BtariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V Dauer-Kollektorstrom: 280A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1V Verlustleistung Pd: 1.25kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 280A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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IXGN200N170 | Hersteller : Littelfuse |
IGBT Module, High Voltage IGBT |
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IXGN200N170 | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 160A; SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Collector current: 160A Power dissipation: 1.25kW Technology: NPT Pulsed collector current: 1.05kA Max. off-state voltage: 1.7kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGN200N170 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 133 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A Supplier Device Package: SOT-227B Td (on/off) @ 25°C: 37ns/320ns Switching Energy: 28mJ (on), 30mJ (off) Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V Gate Charge: 540 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 280 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 1050 A Power - Max: 1250 W |
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IXGN200N170 | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 160A; SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Collector current: 160A Power dissipation: 1.25kW Technology: NPT Pulsed collector current: 1.05kA Max. off-state voltage: 1.7kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V |
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