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IXGN200N170

IXGN200N170 Littelfuse

media.pdf Hersteller: Littelfuse
IGBT Module, High Voltage IGBT
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Technische Details IXGN200N170 Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXGN200N170 - IGBT-Modul, Einfach, 280 A, 2.1 V, 1.25 kW, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1V, Verlustleistung Pd: 1.25kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 280A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 280A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

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IXGN200N170 IXGN200N170 Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgn200n170-datasheet?assetguid=7e04c6cf-4f13-4544-a332-6f459d9482a9 Description: IGBT 1700V 280A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/320ns
Switching Energy: 28mJ (on), 30mJ (off)
Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 540 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1050 A
Power - Max: 1250 W
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IXGN200N170 IXGN200N170 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_NPT_IXGN200N170_Datasheet.PDF IGBTs SOT227 1700V 160A IGBT
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IXGN200N170 IXGN200N170 Hersteller : LITTELFUSE IXYS-S-A0008595129-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXGN200N170 - IGBT-Modul, Einfach, 280 A, 2.1 V, 1.25 kW, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 280A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 280A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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IXGN200N170 IXGN200N170 Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgn200n170_datasheet.pdf.pdf IGBT Module, High Voltage IGBT
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