
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 72.56 EUR |
10+ | 56.61 EUR |
25+ | 53.97 EUR |
50+ | 51.88 EUR |
100+ | 49.24 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXGN200N60B3 Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGN200N60B3 - IGBT-Modul, Einfach, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, Dauer-Kollektorstrom: 300A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V, Verlustleistung Pd: 830W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: IGBT Module GenX3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 300A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXGN200N60B3 nach Preis ab 49.24 EUR bis 110.22 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXGN200N60B3 | Hersteller : Littelfuse |
![]() |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IXGN200N60B3 | Hersteller : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 830 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V |
auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IXGN200N60B3 | Hersteller : IXYS |
![]() |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IXGN200N60B3 | Hersteller : Littelfuse |
![]() |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IXGN200N60B3 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Dauer-Kollektorstrom: 300A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V Verlustleistung Pd: 830W euEccn: NLR Verlustleistung: 830W Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: IGBT Module GenX3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 300A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
![]() |
IXGN200N60B3 | Hersteller : Littelfuse |
![]() |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
IXGN200N60B3 Produktcode: 176713
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||
IXGN200N60B3 | Hersteller : Littelfuse |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
![]() |
IXGN200N60B3 | Hersteller : Littelfuse |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
IXGN200N60B3 | Hersteller : IXYS |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |