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IXGN72N60C3H1

IXGN72N60C3H1 IXYS


media-3322241.pdf Hersteller: IXYS
IGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 52A
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Technische Details IXGN72N60C3H1 IXYS

Description: IGBT MOD 600V 78A 360W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, IGBT Type: PT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 78 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 360 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.78 nF @ 25 V.

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IXGN72N60C3H1 IXGN72N60C3H1 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Module N-CH 600V 78A 360000mW
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IXGN72N60C3H1 IXGN72N60C3H1 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Module N-CH 600V 78A 360000mW
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IXGN72N60C3H1 IXGN72N60C3H1 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Module N-CH 600V 78A 360000mW
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IXGN72N60C3H1 IXGN72N60C3H1 Hersteller : IXYS IXGN72N60C3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 52A
Power dissipation: 360W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGN72N60C3H1 IXGN72N60C3H1 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgn72n60c3h1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT MOD 600V 78A 360W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 360 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.78 nF @ 25 V
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IXGN72N60C3H1 IXGN72N60C3H1 Hersteller : IXYS IXGN72N60C3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 52A
Power dissipation: 360W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
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